考慮Al膜的致密性就相當(dāng)于考慮Al膜的晶粒的大小，密度以及能達到均勻化的程度，因為它也直接影響Al膜的其它性能，進而影響半導(dǎo)體嘩啦的性能。

氣相沉積的多晶Al膜的晶粒尺寸隨著沉積過程中吸附原子或原子團在基片表面遷移率的增加而增加。

由此可以看出Al膜的晶粒尺寸的大小將取決環(huán)于基片溫度、沉積速度、氣相原子在平行基片方面的速度分量、基片表面光潔度和化學(xué)活性等因素。

由于電子束蒸發(fā)的基片溫度Ts=120°C，蒸發(fā)速率20—2高等/s，蒸汽Al原子的能量為0.1—0.3eV，而濺射的基片溫度Ts=120°C，濺射速率8000A/min(133.3A/s)或10000A/min(166.7A/s)，濺射閾為13eV，濺射Al原子的能量比電子束蒸發(fā)的Al原了能量高1—2個數(shù)量級，所以電子束蒸發(fā)的Al原子碰到基片，很快失去能量，且遷移率很小，故原子在表面上重新排列較困難，即沉積的地方就是定位的地方成原子之間的空隙非常大，有面粗糙度很大;濺射的基片溫度較高，Al原子能量也較高，在而基片表面的原子遷移率加大，使得薄膜表面橫向動能非常大，易于連結(jié)殂成光滑的表面，穩(wěn)定性較高，晶粒非常大，原子間距較小，因而形成的薄膜表面粗糙芳減小。

通過環(huán)境掃描電子顯微鏡philipsXL30-ESEM觀測，并分析兩種Al膜的晶粒大小及表面形貌的SEM照片也能驗證這一結(jié)論，電子束蒸發(fā)的平均粒徑為266.8nm，濺射的平均粒徑為1.528μm，雖然電子束蒸發(fā)Al膜的粒徑明顯小于濺射的Al薄膜，但是電子束蒸發(fā)的Al原子較終不得靠得很近，當(dāng)中存在很多間隙，而且濺射的Al原子相互靠得很緊，從側(cè)面觀測，濺射的Al膜平滑而且色澤光亮，說明濺射Al膜的致密較好。

濺射的晶粒非常大還有一個好處，減小了晶界面積，從而減少電遷移短路通道的數(shù)目，有利于增強Al膜的抗電遷移能力，延長Al膜的平均壽命。但晶粒尺寸不可太大，否則影響Al膜細線條圖形的光刻質(zhì)量。同時，濺射的Al膜晶粒雖大，但可以通過的后面的熱處理使之細化并使性能更加優(yōu)越。

2.4電導(dǎo)率

金屬與半導(dǎo)體接觸并非一定能夠形成一個純電阻性接觸。如果接觸電阻太大，即電阻率低，則外加的信號電壓就會有相當(dāng)大的一部分降落在接觸電阻上，造成不必要的電壓降和功率損耗，所以要想獲得低阻的歐姆接觸，膜層的電阻率應(yīng)盡量小，電導(dǎo)率應(yīng)盡量高。