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單晶硅片應(yīng)用與發(fā)展使硅片拋光機(jī)應(yīng)用而生

2014/12/29 15:52:30 來(lái)源:

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  硅片拋光機(jī)是深圳市海德準(zhǔn)確研磨機(jī)器制造有限公司的要點(diǎn)產(chǎn)品之一,單晶硅片在平面拋光機(jī)行業(yè)的應(yīng)用比較常見(jiàn),一般硅片成品都需要經(jīng)過(guò)平面拋光這一道工序才能應(yīng)用于市場(chǎng)。但是單晶硅片在拋光過(guò)程中往往會(huì)因?yàn)?,超薄超脆而遇到一些技術(shù)難點(diǎn),尤其是大尺寸的硅片。深圳海德是有經(jīng)驗(yàn)研究硅片拋光機(jī)的機(jī)構(gòu),多年來(lái)一直致力于硅片拋光機(jī)的生產(chǎn)和研發(fā),我司對(duì)大尺寸硅片拋光機(jī)的制作工藝有著非常獨(dú)到的見(jiàn)解和比較成熟的技術(shù)。

  平面拋光機(jī)拋光(CMP)是目前可實(shí)現(xiàn)單晶硅片全局平面化的技術(shù),采用該方法可使整個(gè)硅片獲得超光滑和無(wú)損傷的表面。其中,拋光液的質(zhì)量是影響CMP 效果的一個(gè)關(guān)鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒[3]。作為一種效率高拋光粉,納米CeO2已廣泛應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路SiO2介質(zhì)層和隔離溝槽的化學(xué)機(jī)械拋光,具有高拋光效率和高表面質(zhì)量等優(yōu)點(diǎn)[4]。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學(xué)機(jī)械拋光時(shí),其拋光效率比球形SiO2高。不過(guò),納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術(shù)及相關(guān)拋光機(jī)理有待進(jìn)一步完善。我國(guó)稀土鈰資源居世界重要地位,如能開(kāi)發(fā)出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會(huì)促進(jìn)硅片超準(zhǔn)確加工技術(shù)的發(fā)展,社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益可觀。

  由此可見(jiàn)稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過(guò)程中有著重要的作用,對(duì)單晶硅片的平面拋光機(jī)市場(chǎng)也有著相當(dāng)大的影響。單晶硅片的平面拋光機(jī)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用前景非常大,發(fā)展還有很大空間。

  海德公司硅片拋光機(jī)工作原理:

  本系列硅片拋光機(jī)由四個(gè)吸附盤(pán)吸附硅片與拋光盤(pán)做逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)來(lái)達(dá)到拋光的目的。

硅片拋光機(jī)特點(diǎn):

  1.本系列拋光機(jī)的吸附盤(pán)由四臺(tái)單獨(dú)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)、速度與壓力可調(diào)。

  2.控制系統(tǒng)中采用PLC彩色終端等先進(jìn)技術(shù),系統(tǒng)的響應(yīng)速度更快、更準(zhǔn)確,并具有遠(yuǎn)程監(jiān)控,遠(yuǎn)程維護(hù)的功能;

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