磁控濺射中試線基本參數(shù)基片較大尺寸：356mm × 406mm濺射室極限真空：<1×10-6Torr within 8hrs排氣性能：<9×10-5Torr within 30min基片加熱：較高溫度400℃，均勻性±5%以內濺射陰極：平面陰極3條 500mm(H)×125mm(L)×9mm(T) 旋轉陰極2對 500mm(H)×133mm(ID)濺射電源：直流電源（10kW），中頻電源（10kW）磁控濺射中試線用途金屬膜代加工，工藝授權（各種顏色可調金屬/非金屬膜；衣服，燈，空調等顏色可調小裝飾片，鋁膜，銅膜等）硬質膜工藝授權（氧化鋯高耐磨性膜，碳膜，DLC高硬膜等）復合膜工藝授權（氮氧化鈦等）氧化物介質膜（氧化鈦，氧化鋯等）Low-e工藝授權導電膜工藝授權（ITO,AZO）減反膜，消影膜，藍膜，電致變色等工藝授權。旋轉靶/平面靶靶材測試我所擁有強大的研發(fā)團隊，14名研究員中碩士以上學歷者十一人，博士以上學歷者兩人，均有豐富的工廠&研究所工作經驗?，F(xiàn)承接各種工藝需求，代加工。