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大平面陰較濺射靶

產品信息

產品詳細

大平面濺射陰極 特點: 1、 采用獨特的磁路設計,突破傳統(tǒng)模式,更符合磁控濺射的理念。 2、 采用獨特的結構設計,可以內置、外置,更符合使用要求。 3、磁鐵不被冷卻水包圍,減少腐蝕,且保證磁力線的有效曲線分布。 4、獨特的布氣方式,更加保膜層濺射的均勻性,其等離子狀態(tài)更加平衡。 5、 更高的濺射率,離子密度更強。 6、 更高的利用率,高達40%以上。 7、 尺寸范圍:可在300-3000mm區(qū)間,保持一致的均勻性 8、使用范圍:如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等 應用領域: 半導體、MEMS、TFT、ITO、low-e玻璃、硬質涂層、裝飾性膜層

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