靶中毒的影響因素，影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例，反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率，化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下，參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加，化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度，化合物覆蓋面積增加，如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量，化合物覆蓋面積增加的速率得不到舒緩，濺射溝道將進一步被化合物覆蓋，當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候，靶完全中毒，在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應(yīng)。       靶中毒現(xiàn)象:(1)正離子堆積：靶中毒時，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達陰極靶面時由于絕緣層的阻擋，不能直接進入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場致弧光放電---打弧，使陰極濺射無法進行下去。（2）陽極消失：靶中毒時，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達陽極的電子無法進入陽極，形成陽極消失現(xiàn)象。       半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場份額。國內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢如何？目前大部分國家高等靶材市場主要分布于韓國、、中國、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國。中國市場目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動接合）、COF（薄膜復(fù)晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。       靶材是一種具有高附加值的特種電子材料，是濺射薄膜材料的源極。已得到從未有過的發(fā)展，靶材市場規(guī)模日益膨脹。冷噴涂在濺射靶材制造方向優(yōu)勢顯著。冷噴涂靶材致密,幾乎沒有氣孔,濺射過程中不會有異常放電。者噴涂速度與前者相同，但溫度下降至1000℃，加之以空氣作為助燃劑，成本大幅下降?；旆蹤C和噴洗房內(nèi)的噴洗時的惰性氣體均采用氦氣，便于雜質(zhì)的控制。另外，在步驟S3中，清洗時采用無水乙醇或者純凈水，有效防止靶材表面加工后留存的雜質(zhì)。此外，在步驟S4中，密封好的靶材外面再用氣泡膜包裹后裝入運輸箱中，防止在運輸?shù)倪^程中進行碰撞損壞。進一步，進行真空包裝時，采用PE尼龍復(fù)合塑料袋進行包裝，在進行真空包裝放入PE尼龍復(fù)合塑料袋時。       會產(chǎn)生不同的殺傷應(yīng)。為了滿足更高的鍍膜要求，迫切需要一種新的技術(shù)制備出高質(zhì)量的鋁鈧旋轉(zhuǎn)靶材。采用可控氣氛冷噴涂制備鋁鈧旋轉(zhuǎn)靶材的方法，靶材的相對密度多97%，純度彡99.99%，氧含量200ppm，鈧元素的含量為0.14wt%，其余為銷元素。尤特新材主要致力于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售ITO靶材及其它，公司內(nèi)設(shè)有研發(fā)中心和實驗室，生產(chǎn)的ITO旋轉(zhuǎn)靶材一直處于業(yè)內(nèi)****地位，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于TFT-LCD、OLED(農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系發(fā)光二極管)、觸摸屏、LED、薄膜太陽能電池、節(jié)能玻璃等領(lǐng)域。目前是國內(nèi)一家實現(xiàn)量產(chǎn)出貨TFT-LCD行業(yè)的ITO靶材供應(yīng)商。后隨著電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高技術(shù)材料逐漸向薄膜轉(zhuǎn)移，鍍膜期間隨之發(fā)展迅速。       在鈍化表面的同時可以形成背表面場。由于非晶硅的導(dǎo)電性較差，射技術(shù)濺射TCO膜進行橫向?qū)щ?，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)形成雙面電極，使得HIT電池有著對稱雙面電池結(jié)構(gòu)。HIT電池是以晶硅太陽能電池為襯底，以非晶硅薄膜為鈍化層的電池結(jié)構(gòu)。種在P型氫化非晶硅和n型氫化非晶硅與n型硅襯底之間增加一層非摻雜(本征)氫化非晶硅薄膜的電池結(jié)構(gòu)。結(jié)電池，即PN結(jié)是在同一種半導(dǎo)體材料上形成的，而異質(zhì)結(jié)電池的PN結(jié)采用不同的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)相關(guān)信息在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，用于高能激光****中，不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時。