主營(yíng):濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉(zhuǎn)靶材,平面靶材
所在地:
廣東 廣州
產(chǎn)品價(jià)格:
電議(大量采購(gòu)價(jià)格電議)
最小起訂:
1
物流運(yùn)費(fèi):
賣(mài)家承擔(dān)運(yùn)費(fèi)
發(fā)布時(shí)間:
2024-07-23
有效期至:
2025-01-23
產(chǎn)品詳細(xì)
半導(dǎo)體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,封裝材料相較于晶圓制造材料來(lái)說(shuō)技術(shù)壁壘相對(duì)較低,所以我們主要講的是晶圓制造材料。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)占比在 3%左右的濺射靶材。簡(jiǎn)單地說(shuō),靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,通過(guò)更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。 科技日?qǐng)?bào):ITO靶材是35項(xiàng)卡脖子技術(shù)之一。2018年,尤特成立ITO靶材部,目前已量產(chǎn)達(dá)到國(guó)際水平的ITO靶材,打破國(guó)外對(duì)高等ITO靶材的壟斷,整體化為客戶(hù)提供高等磁控濺射鍍膜行業(yè)全棧式服務(wù)。獲得很薄的金屬薄膜。而關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究進(jìn)入一個(gè)新的時(shí)期,則是在第二次世界大戰(zhàn)期間,主要應(yīng)用于飛機(jī)的除冰窗戶(hù)玻璃。而在1950年,第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3初次被制成,特別是在In2O3里摻入錫以后,使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用,并具有廣闊的應(yīng)用前景。目前制備ITO薄膜的方法有很多種,如低電壓濺射、直流磁控濺射和HDAP法。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過(guò)鍍膜形成電極。從設(shè)備所占市場(chǎng)份額看,AMAT的產(chǎn)品覆蓋了整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈,眾多產(chǎn)品市場(chǎng)占有率處于****水平。包括PVD沉積設(shè)備(84.9%),P設(shè)備(66%)。離子注入設(shè)備(73%)領(lǐng)域處于****水平。此外,泛林的刻蝕機(jī)市場(chǎng)占有率達(dá)到52.7%。膜時(shí)提高襯底溫度以加大薄膜晶粒尺寸,優(yōu)化薄膜結(jié)晶性能。 隨著芯片的使用范圍越來(lái)越廣泛,芯片市場(chǎng)需求數(shù)量增長(zhǎng),對(duì)于鋁、鈦、鉭、銅這四種業(yè)界主流的薄膜金屬材料的需求也一定會(huì)有增長(zhǎng)。種薄膜金屬材料的其他方案,所以這四種材料目前看不到被替代的風(fēng)險(xiǎn)。在競(jìng)爭(zhēng)格局上,由于濺射鍍膜工藝起源于國(guó)外,所需要的濺射靶材產(chǎn)品性能要求高,產(chǎn)主要集中在美國(guó)、日本少數(shù)幾家公司,產(chǎn)業(yè)集中度相當(dāng)高。以霍尼韋爾(美國(guó))、日礦金屬(日本)、東曹(日本)等為代表的濺射靶材生產(chǎn)商占據(jù)大部分國(guó)家絕大部分市場(chǎng)份額。握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后,實(shí)施極其嚴(yán)格的保密措施,限制技術(shù)擴(kuò)散,同時(shí)不斷進(jìn)行橫向擴(kuò)張和垂直整合,將業(yè)務(wù)觸角積極擴(kuò)展到濺射鍍膜的各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。市場(chǎng)的主動(dòng)權(quán),并帶領(lǐng)著大部分國(guó)家濺射靶材行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。 靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細(xì)化、的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩(wěn)定、介電強(qiáng)度高的無(wú)定形氧化膜,易于準(zhǔn)確方便地控制電容器的陽(yáng)極氧化工藝,面積,高低溫特性好、使用壽命長(zhǎng)、綜合性能不錯(cuò)、其他電容器難以與之媲美,國(guó)外對(duì)高純金屬材料的開(kāi)發(fā)研究較早,英國(guó)和俄羅斯等國(guó)家意志以來(lái)都十分重視高純金屬材料的研制、生產(chǎn)和應(yīng)用。其生產(chǎn)的高純金屬材料品種齊全、質(zhì)量好、產(chǎn)量大,產(chǎn)品純度高可達(dá)6N以上。貨品因其優(yōu)良的理化性能和高可靠性,成為保證半導(dǎo)體器件性能和發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)必不可少及不可替代的材料。此外,玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。在高等裝飾鍍膜中也有著廣泛的應(yīng)用。 從目前的ITO靶材行業(yè)地位來(lái)看,日本能源、東芝和三井在大部分國(guó)家ITO靶材市場(chǎng)擁有80%以上的份額。平板顯示器件都要用到各種類(lèi)型的薄膜,沒(méi)有薄膜技術(shù)就沒(méi)有平板顯示器件。平板顯示器多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成,為了保證大面積膜層的均勻性,提高生產(chǎn)率和降低成本。平板顯示器多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成,為了保證大面積膜層的均勻性,提高生產(chǎn)率和降低成本,幾乎所有類(lèi)型的平板顯示器件都會(huì)使用大量的鍍膜材料來(lái)形成各類(lèi)功能薄膜,其所使用的PVD鍍膜材料主要為濺射靶材,平板顯示器的很多性能如分辨率、透光率等都與濺射薄膜的性能密切相關(guān)。靶材市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)開(kāi)發(fā)用于4k/8k非常高清顯示的IGZO。 半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一,是對(duì)靶材的成分、籌備和性能要求高的領(lǐng)域。具體來(lái)講,半導(dǎo)體芯片的制作過(guò)程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié),其中,在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。靶材是制備晶圓、面板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。我國(guó)ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對(duì)我國(guó)觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。氧化銦錫(IndiumTinOde),作為一種n型半導(dǎo)體材料,具有高的導(dǎo)電率、高的可見(jiàn)光透過(guò)率、高的機(jī)械硬度和良好的化學(xué)穩(wěn)定性。液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發(fā)光顯示器(EL/OLED)、觸摸屏(TouchPanel)、太陽(yáng)能電池以及其他電子儀表的透明電極上廣泛應(yīng)用。
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