自20世紀80年代，以集成電路、信息存儲、液晶顯示器、激光存儲器、電子控制器為主的電子與信息產(chǎn)業(yè)開始進入高速發(fā)展時期，用真實進入工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)應用領域。近10年來，濺射技術更是取得了突飛猛進的發(fā)展。相比PVD另一大工藝真空鍍膜，厚可控制，可在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，合力強等優(yōu)點，已成為制備薄膜材料的主要技術。電子器件靶材的原材料有鎳鉻合金、鉻硅合金等，薄膜電容。靶材的方法很多。大體上，按應用領域。等）。稀土領域，比較一體的后起之秀。在濺射靶材應用領域中，半導體靶材是制造集成電路的關鍵原材料，也是技術要求高的靶材。高集成度，半導體靶材制造原料主要有非常高純度鋁、鈦、銅、鉭等。純度鋁、銅、鉬等。 在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線。ITO片采用新型液態(tài)金屬印刷技術制成，厚度僅為1.5nm，可以沉積在各種基材上，然后可以像管一樣卷起來。氧化銦錫(ITO)導電膜具有良好的光學透光性能和導電性能，被廣泛應用于觸摸屏領域，它是電阻式與投射電容式觸控面板的基礎材料，其產(chǎn)業(yè)鏈下游市場為觸控模組和觸控面板。上游為光學級PET基膜、靶材和涂布液等化學原材料。從觸摸屏技術路線來看，分為掛式和內(nèi)嵌式兩種。掛式電容屏技術有薄膜式和玻璃式兩種；內(nèi)嵌式電容屏技術主要為In-cell和On-cell兩種。將ITO玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極。銀納米線導電膜：銀納米線是一種新興的ITO導電膜潛在替代品。 濺射鍍膜靶材：高等應用領域就是TFT這一塊了，用量大的當數(shù)彩色濾光片 CF ，其次是Array。這兩塊的供應基本被國外廠商控制，國內(nèi)幾家也都在向CF這塊進行送樣。另一塊的應用就是ITO導電玻璃了。二、靶材市場：1、蒸發(fā)靶材：蒸發(fā)靶材的技術難度較高（針對LED芯片市場），目前大部分國家供應只有日本住友和長沙壹納兩家，其中長沙壹納靶材目前在國內(nèi)的占有率已經(jīng)打破80%，品質(zhì)也相對穩(wěn)定。其他廠家也嘗試進入，但目前為止沒有批量導入的經(jīng)驗。從設備所占市場份額看，AMAT的產(chǎn)品覆蓋了整個產(chǎn)業(yè)鏈，眾多產(chǎn)品市場占有率處于****水平，包括PVD沉積設備（84.9%），P設備（66%），離子注入設備（73%）領域處于****水平。此外，泛林的刻蝕機市場占有率達到52.7%，科磊的檢測設備市場占有率達到70%。 氮化物是在電子和光電子應用方面有較大潛力的新型半導體材料,它在室溫下具有高電子遷移率和良好導電性的優(yōu)勢。是目前大部分國家半導體研究的熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強的抗輻照能力。氮化物靶材的鍍層顏色，根據(jù)不同的氮化物，可以獲得不同顏色，其中，氮化鈦（TiN）金顏色涂層，良好的硬度和潤滑性，附著性好，適用于加工大部分材料。TiCN，藍灰色涂層，硬度越HV3000，耐熱400℃。TiN TiCN，深顏色涂層，良好的硬度和潤滑性，適用于加工大部分材料。 陶瓷靶材分為化合物陶瓷靶材和氧化物靶材，產(chǎn)品包含氧化物、氟化物、氮化物、碳化物、硼化物、硫化物、硅化物、硒化物、碲化物、磷化物以及各類混合摻雜物，純度99.5%-99.999%，適合磁控濺射鍍、熱蒸鍍、電子束蒸鍍，產(chǎn)品廣泛應用于各類半導體行業(yè)、太陽能光伏光熱行業(yè)、建筑、裝飾、汽車、平面顯示、LCD、LED、集成電路，元器件、磁記錄、裝飾、工具鍍膜、航空航天、****、科研等領域。不同的氮化物，可以獲得不同的鍍層顏色。其中，TiAlN是藍灰色涂層，硬度越HV3300，耐熱900℃?？捎糜诟咚偌庸ぃ籊rN是銀灰色涂層，良好的潤滑性能，主要用于有色金屬加工。 所謂濺射，是制備薄膜材料的主要技術，也是PVD的一種。它通過在PVD設備中用離子對目標物進行轟擊，使得靶材中的金屬原子以一定能量逸出，從而在晶圓表面沉積，濺鍍形成金屬薄膜，其中被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料。金屬靶材:鎳靶、N、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、kg、鈮靶、№b、錫靶、Sn、鋁靶、A1、銦靶、I、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiΔl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶Sⅰ、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、e、銀靶、Ag、鉆靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、億靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、H、鉬靶、M、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。磁控濺射原理：在被濺射的靶極（陰極）與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體（通常為Ar氣），較好磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓   電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射，其中直流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還可進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，如今，常用的有電子回旋共振(ECR）型微波等離子體濺射。