目前國內(nèi)氧化物薄膜材料的制備方法和技術(shù)有很多，其中主要的方法有脈沖激光沉積、磁控濺射、電子束蒸發(fā)、分子束外延等物理方法，以及化學氣相沉積、溶膠-凝膠、噴霧熱解等化學方法。除了以上所述成型方法外，人們還研究了沖擊成型法和爆開成型法等，目前這些新型成型方法尚在研究階段，要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化還有很多研究工作需要進一步細化。在這些制備技術(shù)中噴涂法是目前應用較多的技術(shù)，其制備的產(chǎn)品品質(zhì)高，穩(wěn)定性好，磁控濺射鍍膜技術(shù)具有易于大面積鍍膜、工業(yè)化生產(chǎn)以及薄膜品質(zhì)、成分、結(jié)構(gòu)、均勻性等易于調(diào)控的優(yōu)勢，是產(chǎn)業(yè)化制備氧化物薄膜材料的重要方法之一，以該方法制備的氧化物薄膜材料在液晶面板、觸摸屏、薄膜太陽能電池、發(fā)光二極管等產(chǎn)業(yè)上獲得了廣泛應用。     目前，氧化物薄膜材料的主要成型方法主要有：熱等靜壓法是將粉末或預先壓成的素坯裝入包套后，再將套內(nèi)抽真空焊接密封，放入高壓容器內(nèi)，使粉末在高溫及等方壓力下燒結(jié)，成型和燒結(jié)同時進行 。在ITO靶材的發(fā)展中，早期采用的熱等靜壓技術(shù)難以獲得高密度、大尺寸的材料。隨著常壓燒結(jié)方法的出現(xiàn)，熱等靜壓法制備的靶材尺寸偏小、密度偏低、失氧率高且該方法設備偏貴、成本偏高的缺點，使熱等靜壓法在ITO陶瓷靶材的制備上不再具備競爭優(yōu)勢，后續(xù)的研究和產(chǎn)業(yè)化逐漸被產(chǎn)業(yè)界淡化，但還是比較適合需要缺氧的陶瓷靶材 。     冷等靜壓法是將預先成型的素坯放入橡膠包套內(nèi)浸于高壓液體下使之承受各向同性的壓力，實現(xiàn)素坯密度的強化。冷等靜壓只是獲得密度盡可能高的素坯，使素坯的燒結(jié)致密化更為容易。由于冷等靜壓不具有熱等靜壓的燒結(jié)能力，需要單獨的燒結(jié)工藝對素坯進行燒制。冷等靜壓能生產(chǎn)大尺寸的靶材，是目前多數(shù)企業(yè)優(yōu)先選擇的成型方法。國內(nèi)外的成型研究表明，冷等靜壓法可以制備出滿足陶瓷靶材所需的高品質(zhì)素坯。但冷等靜壓成型超大尺寸的素坯時，由于受到腔室尺寸的限制，會導致設備投資非常昂貴，而且在素坯較薄、尺寸較大時存在變形問題。同時，壓制不同尺寸的素坯時，需要制備不同規(guī)格的預壓模具，模具成本較高。      噴涂法是目前應用較多的技術(shù)，其制備的產(chǎn)品品質(zhì)高，穩(wěn)定性好。噴涂法是利用高壓氣體（N2、H2 、混合氣體或空氣）攜帶粉末顆粒經(jīng)縮放管產(chǎn)生超音速雙相流，在完全固態(tài)下撞擊基體，通過較大的塑性流動變形沉積于綁定背板表面而形成涂層，涂層逐層增厚，獲得陶瓷靶材。由基本的噴涂法又衍生出等離子體噴涂、電弧噴涂、超音速火焰噴涂、冷噴涂等噴涂成型技術(shù)。使用氧化鈮粉體和少量金屬Nb，用等離子體噴涂實現(xiàn)了工業(yè)化制備旋轉(zhuǎn)氧化鈮靶材。近年來，用噴涂成型工藝在高等的ITO、AZO、IGZO靶材成型上有了較大的打破，廣州、深圳等地的大型的靶材制造商已成功制備出高性能的靶材。濕法成型是通過將氧化物粉體制備成漿料，然后通過自我凝固、吸水或者壓濾等方式實現(xiàn)特定外形的素坯，干燥后獲得高密度的素坯。濕法成型不僅可以實現(xiàn)冷等靜壓成型的功能，而且還能彌補冷等靜壓成型的不足。陶瓷靶材的濕法成型有注漿成型、膠態(tài)成型、直接凝固成型等。