半導(dǎo)體是對靶材組成、結(jié)構(gòu)和性能要求級高的領(lǐng)域。中國半導(dǎo)體靶材市場增長迅速。尤特新材主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，包括鋁靶、鈦靶、鉭靶、鎢鈦靶等，這些產(chǎn)品主要應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路芯片、液晶面板、薄膜太陽能電池制造的物理氣相沉積(PVD)工藝，用于制備電子薄膜材料。目前，公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示器及太陽能電池等領(lǐng)域。在超大規(guī)模集成電路用高純金屬靶材領(lǐng)域，公司成功打破美國、日本跨國公司的壟斷格局，填補了國內(nèi)電子材料行業(yè)的空白。公司已經(jīng)逐步建立了高品質(zhì)、高純度濺射靶材專業(yè)生產(chǎn)商的良好品牌形象。     ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結(jié)光電器件與p-n結(jié)光電池比較具有工藝簡單,轉(zhuǎn)換效率高等特點。在靶材制造的過程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導(dǎo)體Si上形成勢壘作為SIS結(jié)的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導(dǎo)電材料外。也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時還可進行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。合金靶材。     磁控濺射技術(shù)是一種先進的高質(zhì)量薄膜沉積手段。其工作原理為：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與濺射氣體原子發(fā)生碰撞，電離出大量的正離子和電子。電子飛向基片，而正離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上終形成所需的薄膜。硅(Si)基濺射靶材是眾多濺射靶材中發(fā)展為迅速且應(yīng)用較廣的一種靶材。Si是一種傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，近幾年由于磁控濺射制備薄膜技術(shù)的發(fā)展使得其在很多領(lǐng)域得到新的應(yīng)用。     目前磁控濺射沉積的硅基薄膜已經(jīng)應(yīng)用在觸摸傳感器、建筑節(jié)能用low-e玻璃，以及汽車鍍膜玻璃等領(lǐng)域。磁控濺射用硅鋁靶材一般通過等離子噴涂工藝制成，但所制得靶材致密度較低，相對密度只有90％左右。密度小的靶材在濺射過程中易出現(xiàn)結(jié)瘤、掉粉等缺陷，影響鍍膜產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)穩(wěn)定性。申請公布號1098350A的中國發(fā)明****申請：硅鋁濺射靶材的制備方法，公開了一種通過真空大氣等離子噴涂技術(shù)，制得相對密度達97％的硅鋁靶材。但該****中并未陳述其利用這種方法實際制備靶材的密度。并且真空等離子噴涂較大氣等離子噴涂，增加了背管預(yù)熱、抽真空、充入惰性保護氣體等一系列步驟，工藝復(fù)雜且成本較高。     在被濺射的靶(陰)與陽之間加個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子， 靶上加有定的負高壓，從靶發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率加大，在陰附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面， 以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉(zhuǎn)換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。       MINILED及MicLED是近年來顯示領(lǐng)域發(fā)展的新型顯示技術(shù)，廣泛應(yīng)用于VR、平板、電競筆電、顯示器等領(lǐng)域。尤特新材料項目投資總額為2億元。HIT電池結(jié)構(gòu)，中間襯底為N型晶體硅，通過PECVD方法在P型a-Si和c-Si之間插入一層10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn結(jié)的同時。背面為20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H層，在鈍化表面的同時可以形成背表面場。由于非晶硅的導(dǎo)電性較差，射技術(shù)濺射TCO膜進行橫向?qū)щ?，采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)形成雙面電極，使得HIT電池有著對稱雙面電池結(jié)構(gòu)。對靶磁控濺射原理：1-N極；2-對靶陰極；3-陰極暗區(qū)；4-等離子體區(qū)；5-基體偏壓電源；6-基體；