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產(chǎn)品信息

產(chǎn)品詳細(xì)

      預(yù)計(jì)在2021年異質(zhì)結(jié)的產(chǎn)能會(huì)提升至10.5GW。隨著異質(zhì)結(jié)技術(shù)的逐漸成熟,也可和其他光伏電池技術(shù)相結(jié)合,例如異質(zhì)結(jié) I電池、異質(zhì)結(jié)鈣鈦礦疊層電池。作為行業(yè)內(nèi)率先布局異質(zhì)結(jié)的企業(yè)之一,東方日升在HJT技術(shù)研發(fā)、量產(chǎn)等方面均具備****優(yōu)勢(shì)。其推出的行業(yè)內(nèi)首半片HJT組件產(chǎn)品,效率高達(dá)21.9%,溫度系數(shù)為-0.24%/℃。用準(zhǔn)確儀器設(shè)備在半導(dǎo)體芯片各個(gè)功能層上鍍覆一層薄薄的透明金屬導(dǎo)電膜,這層膜的厚度因功能需求而有不同,一般在30納米至200納米之間,不足頭發(fā)絲直徑五百分之一,以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體金屬的物理化學(xué)性能,業(yè)界將這種層稱為薄膜。制造鎢靶材的大致過(guò)程就是先按配比進(jìn)行用粉末混合,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)成形??此坪?jiǎn)單的過(guò)程其制造技術(shù)細(xì)節(jié)卻旁枝錯(cuò)節(jié)般復(fù)雜。直銷。 從市場(chǎng)前景來(lái)看,薄膜太陽(yáng)能電池在光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站建設(shè)等方面比傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池具有更加廣闊的市場(chǎng)空間?,F(xiàn)今制備太陽(yáng)能電池用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅,AluminumZincOde)等,純度要求一般在99.99%以上,其中,鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜。2017年公司濺射靶材、蒸鍍材料、其他產(chǎn)品的營(yíng)收占比分別為78.36%、18.4%、3.24%。公司營(yíng)業(yè)收入逐年增長(zhǎng),毛利率和凈利率保持高位,盈利能力穩(wěn)健提升。2014-2017年,公司營(yíng)業(yè)收入分別為0.83億元、1.24億元、1.75億元、2.36億元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率為41.86%。2017年1-9月,毛利率均超過(guò)35%,凈利率20%左右,較高的毛利率凈利率體現(xiàn)了公司產(chǎn)品的技術(shù)含量的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,同時(shí)表明了公司產(chǎn)品具有較強(qiáng)的盈利能力,有利于公司未來(lái)的可持續(xù)發(fā)展。     在半導(dǎo)體集成電路制造過(guò)程中,以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線。ITO片采用新型液態(tài)金屬印刷技術(shù)制成,厚度僅為1.5nm,可以沉積在各種基材上,然后可以像管一樣卷起來(lái)。氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電膜具有良好的光學(xué)透光性能和導(dǎo)電性能,被廣泛應(yīng)用于觸摸屏領(lǐng)域,它是電阻式與投射電容式觸控面板的基礎(chǔ)材料,其產(chǎn)業(yè)鏈下游市場(chǎng)為觸控模組和觸控面板。上游為光學(xué)級(jí)PET基膜、靶材和涂布液等化學(xué)原材料。從觸摸屏技術(shù)路線來(lái)看,分為掛式和內(nèi)嵌式兩種。掛式電容屏技術(shù)有薄膜式和玻璃式兩種;內(nèi)嵌式電容屏技術(shù)主要為In-cell和On-cell兩種。將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過(guò)鍍膜形成電極。銀納米線導(dǎo)電膜:銀納米線是一種新興的ITO導(dǎo)電膜潛在替代品。       目前大部分國(guó)家拋光液及拋光墊市場(chǎng)依然主要為美日公司所壟斷。拋光墊市場(chǎng)以美國(guó)陶氏一家獨(dú)大,陶氏公司占據(jù)大部分國(guó)家拋光墊市場(chǎng) 79%的市場(chǎng)份額,在細(xì)分集成電路芯片和藍(lán)寶石兩個(gè)高等領(lǐng)域更是占據(jù) 90%的市場(chǎng)份額。此外,3M、卡博特、日本東麗、中國(guó)寶島三方化學(xué)等可生產(chǎn)部分芯片用拋光墊。大部分國(guó)家芯片拋光液生產(chǎn)企業(yè)主要被美國(guó)卡博特、美國(guó)陶氏杜邦、美國(guó) Versum、日本 Fujimi、日本 Nitta Haas、 韓國(guó) ACE 等所壟斷,占據(jù)大部分國(guó)家 90%以上的高等市場(chǎng)份額。要求靶材具有較高的密度是為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能。靶材的密度不僅影響濺射速率,、濺射粒子的密度和放電現(xiàn)象等,還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。靶材的密度主要取決于靶材制備工藝。此外,提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過(guò)程中的熱應(yīng)力,所以密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。鐵管。       ITO靶材市場(chǎng)應(yīng)用狀況大部分國(guó)家2005年需求563t,2007年869t,2009年1300t,2010年1445t,2012年將近2000t,每年以平均15%的增長(zhǎng)率遞增。其中日本日礦材料公司占市場(chǎng)50%,日本三井礦業(yè)占25%,東曹占15%,科寧占10%,國(guó)內(nèi)靶材公司占據(jù)數(shù)額幾乎可以忽略不計(jì)。靶材主要應(yīng)用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導(dǎo)體等領(lǐng)域。貨品的深加工技術(shù)朝高純化、精細(xì)化、的方向發(fā)展。由于鉭的表面能形成致密穩(wěn)定、介電強(qiáng)度高的無(wú)定形氧化膜,易于準(zhǔn)確方便地控制電容器的陽(yáng)極氧化工藝,面積,高低溫特性好、使用壽命長(zhǎng)、綜合性能不錯(cuò)、其他電容器難以與之媲美,國(guó)外對(duì)高純金屬材料的開(kāi)發(fā)研究較早。       UVTM是一家專門從事光電材料開(kāi)發(fā)生產(chǎn)和銷售的企業(yè),公司采用日本生產(chǎn)工藝及國(guó)際先進(jìn)設(shè)備,生產(chǎn)真空濺射靶材及光學(xué)鍍膜材料產(chǎn)品主要用于半導(dǎo)體芯片、平板液晶顯示器(LCD)、裝飾和功能鍍膜工業(yè)、太陽(yáng)能電池、據(jù)儲(chǔ)存工業(yè)(光盤工業(yè))、光通訊工業(yè)、玻璃鍍膜(建筑玻璃汽車玻璃)工業(yè)、抗腐蝕抗磨損(表面改性)等行業(yè),質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,填補(bǔ)了我國(guó)靶材在中、高等制造領(lǐng)域應(yīng)用的空白。“以人為本、科技創(chuàng)新、質(zhì)量、客戶至上”,并以“誠(chéng)信、奉獻(xiàn)”為理念,為每一位客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù)。未來(lái)我們將不斷完善品質(zhì)體系,打造品牌價(jià)值,滿足客戶的需求,同客戶建立長(zhǎng)久的伙伴關(guān)系,并致力于成為國(guó)內(nèi)的企業(yè)和上有影響力的生產(chǎn)商。       目前制備薄膜電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等,HIT電池主要使用ITO靶材作為其透明導(dǎo)電薄膜。靶材也逐步向國(guó)產(chǎn)化方向努力;設(shè)備***替代降低投資成本。隨著消費(fèi)者對(duì)大尺寸電視及智能手機(jī)需求的增長(zhǎng),平板顯示器尺寸迅速加大,推動(dòng)平板顯示器行業(yè)規(guī)模不斷加大,市場(chǎng)規(guī)模增速達(dá)到20%。硬盤容量快速增長(zhǎng)帶動(dòng)帶動(dòng)上游靶材需求增長(zhǎng)。未來(lái)幾年HDD的出貨總?cè)萘恳廊粫?huì)保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),長(zhǎng)率達(dá)到18%。受機(jī)械硬盤出貨容量增長(zhǎng)的帶動(dòng),記錄媒體靶材需求穩(wěn)定增長(zhǎng)。薄膜太陽(yáng)能電池效率存在提升空間,靶材需求。硅電池的效率已經(jīng)接近其理論值,而薄膜太陽(yáng)能電池的效率在逐年提高。據(jù)預(yù)測(cè),年會(huì)呈現(xiàn)逐年遞增的趨勢(shì),并于2023年打破395億美元大關(guān)。平板顯示靶材需求增加。目前,UVTM已掌握了銅、鋁等濺射靶材原材料提純的核心技術(shù)。      OLED的基本結(jié)構(gòu)是由一薄而透明具半導(dǎo)體特性之銦錫氧化物(ITO),與電力之正極相連,再加上另一個(gè)金屬陰極,包成如三明治的結(jié)構(gòu)。眾說(shuō)周知顯示領(lǐng)域的ITO靶材中75%的材料都含有銦,銦作為ITO靶材的基礎(chǔ)原材料,其對(duì)于OLED的重要性不言而喻。金屬銦一個(gè)月來(lái)漲價(jià)迅速,過(guò)去的一個(gè)月上漲幅度達(dá)到百分之四十,無(wú)錫電子盤從1180漲到了現(xiàn)在的1750,現(xiàn)貨從1200漲到1800。       真空蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)一般由三個(gè)部分組成:真空室、蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱裝置、放置基板及給基板加熱裝置。在真空中為了蒸發(fā)待沉積的材料,需要容器來(lái)支撐或盛裝蒸發(fā)物,同時(shí)需要提供蒸發(fā)熱使蒸發(fā)物達(dá)到足夠高的溫度以產(chǎn)生所需的蒸汽壓。  圖:真空蒸發(fā)鍍膜工作原理示意圖           真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)具有簡(jiǎn)單便利、操作方便、成膜速度快等特點(diǎn),是應(yīng)用廣泛的鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用于光學(xué)元器件、LED、平板顯示和半導(dǎo)體分立器的鍍膜。氧化鈮靶材。     轟擊固體表面,離子和固體表面的原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開(kāi)靶材并沉積在基材表面,從而形成納米(或微米)薄膜。被轟擊的固體是濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。靶材質(zhì)量的好壞對(duì)薄膜的性能起著至關(guān)重要的決定作用,因此,靶材是濺射過(guò)程的關(guān)鍵材料。在靶材領(lǐng)域,日本的日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯占據(jù)了大部分市場(chǎng)。相比之下,甚至是整個(gè)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在半導(dǎo)體材料方面幾無(wú)建樹(shù),而且導(dǎo)致了對(duì)于日本半導(dǎo)體材料的高度依賴。去年日韓貿(mào)易戰(zhàn)中,日本列入限制出口名單的高純度材料,其主要用途為半導(dǎo)體的濕式刻蝕。盡管全世界各大廠生產(chǎn)的材料幾乎都能99.99%的純度,但卻唯有日本廠商的材料能將純度達(dá)到99.999%。

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