在將金屬提純到相當高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個過程中，需要經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過精煉高純金屬，去除氧氣、氮氣等多余氣體；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；后將其鑄造成沒有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過程中對金屬成份、尺寸大小的要求。需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。合金靶材：鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。陶瓷靶材ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶。     大部分國家靶材市場空間持續(xù)擴大，面板應(yīng)用是國產(chǎn)替代賽道。20世紀90年代以來，隨著消費電子等終端應(yīng)用市場的飛速發(fā)展。繼TCL科技旗下華星光電20億元入股日本面板企業(yè)JOLED，布局噴墨印刷OLED領(lǐng)域之后。TCL科技或?qū)⒊鲑Y100億拿下中電熊貓。中國電子計劃出售中電熊貓三條液晶面板產(chǎn)線的股份，京東方出價60億元-70億元，而TCL科技愿意以100億元左右收購中電熊貓，中國電子選擇出價更高的TCL科技。       而且上下游供應(yīng)鏈維持良好，ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)業(yè)處于大部分國家的領(lǐng)導(dǎo)地位。2008年大部分國家ITO導(dǎo)電膜產(chǎn)品供不應(yīng)求，隨著市場需求的逐步擴大，及行業(yè)技術(shù)的逐漸發(fā)展，韓國企業(yè)陸續(xù)進入，包括韓國LG化學(xué)，SKC等企業(yè)。具備一定技術(shù)實力的中國地區(qū)企業(yè)。大陸企業(yè)也紛紛進入這一行業(yè)。在靶材應(yīng)用領(lǐng)域中，半導(dǎo)體芯片對靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品。因此，半導(dǎo)體芯片對靶材的要求是比較高的,一般要求靶材的純度要在99.999%以上,價格也昂貴。中國超過韓國成為大部分國家大的LCD生產(chǎn)大國;2019年,韓國宣布繼續(xù)減少LCD產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)OLED市場,中國持續(xù)布局OLED、LCD顯示器、導(dǎo)電玻璃以及太陽能電池等。       ITO靶材成形的工藝有冷靜壓成。ITO/Si異質(zhì)結(jié)光電器件與p-n結(jié)光電池比較具有工藝簡單,轉(zhuǎn)換效率高等特點。在靶材制造的過程中，需要經(jīng)歷粉末冶煉、粉末混合、壓制成型、氣氛燒結(jié)、塑性加工、熱處理、超聲探傷、機械加工、水切割、機械加工、金屬化、綁定、超聲、超聲清洗、檢驗出貨。ITO有著多種功用,首先ITO為高帶隙材料,可用作光電池的光入射窗口,又可作為收集光電流的電極,在基底半導(dǎo)體Si上形成勢壘作為SIS結(jié)的一層以及抗反射層。銦是中國在儲量上占據(jù)優(yōu)勢的資源。磁控濺射一般分為二種：直流濺射和射頻濺射。其中直流濺射設(shè)備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛。除可濺射導(dǎo)電材料外。旋轉(zhuǎn)靶材。 WSTS預(yù)計，2018年大部分國家半導(dǎo)體規(guī)模增速達12.4%。2010~2016年，大部分國家半導(dǎo)體銷售額保持平穩(wěn)發(fā)展，而2017年大部分國家市場增速超預(yù)期，達21.62%，特別是存儲器市場，增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，產(chǎn)品價格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動下游需求，WSTS 預(yù)計，在AI、智能駕駛、5G、VR/AR等需求持續(xù)帶動下，2018年大部分國家半導(dǎo)體行業(yè)將實現(xiàn)12.4%的增速，2019年的增速預(yù)估為4.4%。        主要用于五金裝飾的耐磨、耐腐蝕硬膜，LOW-E鍍膜玻璃，半導(dǎo)體電子加工尺寸:長度:4000MM厚度:6-10MM，直型、狗骨型，對于貨品靶材，若剩余下的高純殘靶若以普通廢料進行處理，將會是對稀貴材料的較大浪費；同時，靶材從原材料到加工成成品，成材率一般只有40%-80%，大量的余料和殘屑需要更新循環(huán)利用。對于貨品靶材，由于材料價格昂貴，迫切需要對加工過程的余料殘屑的提純再利用及對殘進行回收加工增值服務(wù)，有效增加材料利用效率和節(jié)約資源。對于貨品余料殘屑及殘的處理可為機械物理法回收和化學(xué)精煉提純回收。機械物理法可應(yīng)用于單質(zhì)金屬殘靶及加工廢料。通過機械切削對單質(zhì)殘表面進行處理，然后采用酸洗去除表面殘留雜質(zhì)的方法對殘祀回收再利用。金屬鈮靶材。       硅的原子結(jié)構(gòu)決定了硅原子具有一定的導(dǎo)電性，但由于硅晶體中沒有明顯的自由電子，因此導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導(dǎo)體性質(zhì)。微電子領(lǐng)域?qū)Π胁臑R射薄膜的品質(zhì)和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開始應(yīng)用時電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，UVTM的研發(fā)人員開發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。噴涂網(wǎng)。  在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域。美國、日本、荷蘭依然占主要地位。國內(nèi)的芯片制造與韓國和歐洲的企業(yè)相比都相距甚遠。芯片制造設(shè)備，半導(dǎo)體材料對于芯片產(chǎn)業(yè)的重要性也是不言而喻。半導(dǎo)體材料可以分為晶圓材料和封裝材料,中國的半導(dǎo)體行業(yè)正處于成長關(guān)鍵期，材料和技術(shù)仍依賴***，受到國際市場影響，圍繞半導(dǎo)體行業(yè)的焦慮在持續(xù)蔓延。特別是存儲器市場。增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，價格大幅上漲，另一方面，物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、AI等新應(yīng)用拉動下游需求。半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。       半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Π胁牡囊蠓浅８撸瑢R射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設(shè)定了極其苛刻的標準，需要掌握生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵技術(shù)并經(jīng)過長期實踐才能制成符合工藝要求的產(chǎn)品，因而有實力產(chǎn)出高純電子級靶材的企業(yè)與公司并不得多，也使得電子級靶材價格較為昂貴。過去，半導(dǎo)體靶材這種高精尖的材料制造工藝一般是掌握在如住友化學(xué)、霍尼韋爾等美、日企業(yè)手上，整個行業(yè)呈現(xiàn)出寡頭壟斷的格局。這些企業(yè)在掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術(shù)以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術(shù)擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業(yè)務(wù)觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應(yīng)用領(lǐng)域。牢牢把握著大部分國家濺射靶材市場的主動權(quán)。